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      雪崩能量测试仪

      更新时间:2019-01-11

      简要描述:

      雪崩能量测试仪系统主要用于 IGBT、FRD、MOS器件单脉冲及重复脉冲雪崩能量测试。测试电流 200A,电压 4500V,雪崩能量可达2000J。

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      半导体分立器件作为在电力电子行业中应用为广泛的基础元件,其性能表现对整个电子电路系统来讲十分重要。选择合适的分立器件就需要该器件能够承受电路中的电流,满足一定的雪崩耐量。

      雪崩能量测试仪测试的电压和电流波形同时被采集到示波器,并由示波器与工控机直接通讯,将采集数据传输给计算机,计算机将测试数据以EXCEL表格形式显示并进行终的编辑和打印。

       

      HUSTEC2020 雪崩能量测试仪

      功能指标:

      配置

      测试范围

      测试参数

      条件

      范围

      电压
      1000V 

      IGBTs
      绝缘栅双极型晶体管 

      EAS/单脉冲雪崩能量

      VCE

      20V~4500V

      20~100V±3%±1V
      100~1000V±3%±5V 
      1000V~4500V±3%±10V

      电流
      200A

      MOSFETs
      MOS场效应管

      EAR/重复脉冲雪崩能量 

      Ic

      1mA~200A

      1mA~100mA±3%±0.1mA
      100mA~2A±3%±5mA 
      2A~200A±3%±50mA

       

      DIODEs
      二极管

      IAS/单脉冲雪崩电流

      Ea

      1J~2000J

      1J~100J±3%±1J
      100J~500J±3%±5J 
      500J~2000J±3%±10J

         

      PAS/单脉冲雪崩功率

      IC检测

      50mV/A(取决于传感器)

           

      感性负载

      10mH、20mH、40mH、80mH、160mH、 

           

      重复间隙时间 

      1~60s可调(步进1s) 重复次数:1~50次

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